Юлкин Антон Сергеевич

Статья посвящена вопросам оптимизации электрофизических параметров МОП-транзисторов с помощью системы TCAD Synopsys. Сложность проблемы заключается в неприемлемой длительности вычислений в системе TCAD Synopsys, необходимых для проведения процесса оптимизации. Рассмотрена методика двухстадийной оптимизации. Проведена оценка решения задачи оптимизации на одномерной модели. Выполнена оптимизация профиля легирования кармана двухмерной модели КНИ n-канального МОП-транзистора. Рассчитаны выходные статические характеристики моделей основного и паразитного транзисторов, выполненных с учетом полученных параметров режимов технологических операций.