Курейчик В М

Согласно закону Мура, каждые два года количество транзисторов интегральной микросхемы удваивается, а размеры самих транзисторов уменьшаются. В результате увеличивается сложность проектируемых микросхем и ужесточаются требования к контролю технологических параметров их производства. В работе анализируются особенности применения системы технологического моделирования TCAD (Technology Computer Aided Design).

Рассмотрены методы размещения dummy-структур на шаблонах топологических слоев СБИС, позволяющие минимизировать остаточный рельеф поверхности кристалла при создании многослойной металлизации, основанные как на моделировании операции химико-механической планаризации (ХМП) (MBDF), так и на использовании правил заполнения (RBDF). Приведен алгоритм расчета локальной плотности заполнения топологического слоя СБИС, используемой в методе заполнения топологии dummy-фигурами, базирующемся на моделировании операции ХМП.