Лоскутов Сергей Александрович

Дан анализ современных методов контроля дефектности МДП-приборов и зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник. Определены особенности работы современных МДП-приборов с учетом уменьшения технологических норм. Показано, что наиболее перспективным является электрофизический метод на основе метода управляемой токовой нагрузки, позволяющий анализировать быстрорелаксирующие процессы, протекающие в диэлектрике непосредственно после стрессовых воздействий.