Андреев Дмитрий Владимирович

Разработана модель, описывающая процессы образования и эволюции центров захвата носителей в инжекционно модифицированных многослойных наноразмерных диэлектрических слоях МДП-структур в режиме сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик постоянным током. Определены параметры модели, характеризующие процессы изменения зарядового состояния МДП-структур с термической плёнкой SiO₂, пассивированной слоем ФСС, а также МДП-структур Si-SiO₂-поликристаллический кремний (Si-SiO₂-Si*), в условиях управляемой сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик.  Проведено сравнение данных моделирования с экспериментальными данными.